种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性。 具体来说，与drm内存相比，它的数据刷新时间是前者的156倍，也就是能保存更长时间的数据，同时具备纳秒级的写入速度，而nnd闪存的延迟一般在毫秒级，性能远远超出。 它与传统二维材料相比，其速度快了100万倍。所以这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距。 这是在储存芯片领域极大的进步，特别是这种采用新技术的半导体储存芯片使用他们公司生产的光刻机，加工技术一点也不难。 现在已经达到良品率非常高
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